第一节 半导体二极管
- 锗二极管的导通电压约2019-01-20
- 二极管两端的反向偏置电压増高时，在达到_电压以前，通过的电流很小2019-01-20
- 半导体一极管导通的必要且充分条件是2019-01-20
- 当温度升高后，半导体的导电能力将2019-01-20
- 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则2019-01-20
- 如图2-l-18所示，四只首尾串联的二极管要组成桥式整流电路，A,B,C.D四个端点应接2019-01-20
- 二极管的导通条是2019-01-20
- 发光二极管的正向电压一般是2019-01-20
- 电路如图所2-1-17所示，VD1和vD2为理想一极管，R=6kΩ，E1=7v，E2=15V，VD1和VD2的状态分别是2019-01-20
- 图2-1-16给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线，硅管的特性曲线是2019-01-20
- 当温度升高后，二极管的正向电压和反向电流的变化分别是2019-01-20
- 由Si二极管vD和电阻尺(尺=4kΩ）组成的电路如图2-1-15所示，该电路中电流比较准确的2019-01-20
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